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《半導體》聯電強化特殊製程戰力 新28eHV+平臺H1量產

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《半導體》聯電強化特殊製程戰力 新28eHV+平臺H1量產

聯電錶示,相較於公司現有28奈米eHV製程,在不影響圖像畫質或資料速率的前提下,新的28eHV+解決方案可降低耗能達15%。除了滿足節省電池用電需求外,也以更精確的電壓控制優化功能,提供工程師設計時更大的靈活性。

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就eHV技術而言,28奈米是目前晶圓廠最先進製程,適用於小面板顯示器驅動IC(SDDI),並廣泛用於高階智慧手機和VR/AR設備上日益普及的AMOLED面板。聯電爲28奈米SDDI代工龍頭、市佔率逾85%,自2020年量產以來已出貨逾4億顆IC。

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聯電的28eHV+技術採用業界最小的SRAM單元,進而縮減晶片面積。此平臺奠基於聯電領先的28奈米後閘極高介電係數金屬閘極(28nm Gate-last High-K/Metal Gate)技術,具備卓越的低漏電和動態功率性能。

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聯電技術研發副總徐世傑表示,聯電致力提供差異化的晶圓特殊製程解決方案,配合客戶產品藍圖,共同掌握市場快速成長契機。目前已有幾家客戶洽談使用28eHV+平臺,並計劃於上半年投入量產,後續將致力於將顯示器驅動IC解決方案擴展到22奈米及以下製程。

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